Investigadores han diseñado y evaluado un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) sin unión (Junctionless FinFET) con una compuerta de doble material (DMG) en la escala de 7 nanómetros (nm). Este estudio se centra en analizar los parámetros analógicos, de radiofrecuencia (RF) y de linealidad de este dispositivo, que son cruciales para su aplicación en circuitos integrados de próxima generación. La arquitectura FinFET es fundamental para superar las limitaciones de escalado de los transistores planares tradicionales, mientras que la configuración sin unión simplifica el proceso de fabricación y mejora el rendimiento al reducir la dispersión de dopantes y la variabilidad de los dispositivos.

El diseño de la compuerta de doble material permite optimizar el control electrostático sobre el canal del transistor. Al utilizar dos metales con diferentes funciones de trabajo para la compuerta, se logra una modulación más efectiva del potencial de superficie y una reducción del efecto de canal corto. Esto se traduce en una mejora de parámetros clave como la transconductancia (gm), la resistencia de salida (Rout), el factor de ganancia intrínseca (gm*Rout), el ancho de banda de transición (fT) y la frecuencia máxima de oscilación (fmax). La evaluación se realizó a diferentes temperaturas, lo que es esencial para comprender el comportamiento del dispositivo en condiciones operativas variadas y para garantizar su fiabilidad en aplicaciones de alta densidad y rendimiento.