Un equipo ha desarrollado películas delgadas de disulfuro de molibdeno en fase 2H (2H-MoS₂) depositadas por pulverización catódica (sputtering) sobre áreas grandes, capaces de convertir tanto espín como carga orbital en corriente eléctrica. La técnica, habitual en la industria semiconductor, permite escalar la producción de estos materiales bidimensionales más allá de las pequeñas escenas obtenidas con exfoliación o crecimiento químico en fase vapor.

La conversión espín-carga es la base de la espintrónica: inyectar portadores con espín polarizado en un material y recuperar una corriente eléctrica detectable. Hasta ahora, la mayoría de los estudios de conversión en TMD (dicalcogenuros de metales de transición) se habían hecho en muestras micrométricas de alta calidad cristalina, difíciles de integrar en dispositivos reales. El MoS₂ en fase 2H, semiconductora y con acoplamiento espín-órbita apreciable, es un candidato natural, pero su deposición a gran escala mantenía propiedades inferiores.

El trabajo muestra que las películas pulverizadas conservan la fase 2H y presentan eficiencias de conversión tanto de espín como de momento orbital comparables a las de monocristales. La conversión de carga orbital es particularmente relevante: el momento orbital de los electrones en los valles de la banda de valencia del MoS₂ puede explotarse como fuente de corriente adicional, sorteando las limitaciones del espín en materiales con acoplamiento espín-órbita moderado.

La vía industrial del sputtering abre la puerta a integrar capas de conversión de espín y órbita directamente en obleas de silicio, sin procesos de transferencia que degraden las interfaces. Queda por ver si la reproducibilidad y la calidad de interfaz alcanzan el nivel requerido para dispositivos de memoria o lógica espintrónica, y si otras fases del MoS₂ u otros TMD responden igual de bien al mismo método de deposición.