Un estudio reciente ha empleado simulaciones *ab initio* para investigar los límites fundamentales de la tunelización en semiconductores bidimensionales (2D). Esta investigación es crucial para comprender y optimizar el rendimiento de los transistores basados en estos materiales, que son prometedores para la electrónica de próxima generación debido a su escalabilidad y eficiencia energética. El trabajo se centra en determinar las barreras intrínsecas a la tunelización, un fenómeno cuántico clave en el transporte de carga a través de uniones y contactos en dispositivos electrónicos.

El método utilizado, denominado Transfer Length Method (TLM) *ab initio*, permite calcular con precisión las resistencias de contacto y las longitudes de transferencia en interfaces metal-semiconductor 2D. A diferencia de enfoques empíricos o semi-empíricos, las simulaciones *ab initio* parten de los principios fundamentales de la mecánica cuántica, sin parámetros ajustables, proporcionando una descripción más precisa de las interacciones electrónicas a escala atómica. Esto es especialmente relevante en sistemas 2D donde las propiedades electrónicas están fuertemente influenciadas por la estructura y la composición a nivel atómico.

Los resultados de estas simulaciones ofrecen una comprensión detallada de cómo la tunelización electrónica se ve limitada por la estructura de la banda y las propiedades de la interfaz en diversos semiconductores 2D. Esta información es vital para el diseño de dispositivos con resistencias de contacto ultrabajas, un requisito fundamental para superar los cuellos de botella actuales en el rendimiento de los transistores. La capacidad de predecir estos límites teóricos permite a los ingenieros y científicos de materiales identificar los materiales y las configuraciones de interfaz más prometedores para futuras aplicaciones en electrónica de alta velocidad y bajo consumo.