Investigadores han desarrollado un método para mapear la distribución lateral de defectos eléctricos en transistores de película delgada (TFTs) de óxido de indio-galio-zinc (IGZO) con estructura coplanar de puerta inferior. Este avance es crucial para entender y mejorar la fiabilidad y el rendimiento de estos dispositivos, que son fundamentales en pantallas de alta resolución y electrónica flexible. La técnica se basa en el análisis del ruido de baja frecuencia, proporcionando una herramienta no destructiva para caracterizar la heterogeneidad de los defectos a lo largo del canal del transistor.

El método propuesto permite determinar cómo varían las concentraciones de defectos a lo largo del canal del dispositivo. Los TFTs de IGZO son conocidos por su alta movilidad de electrones y baja corriente de fuga, pero la presencia de defectos en la interfaz semiconductor-dieléctrico o en el propio volumen del semiconductor puede degradar significativamente sus propiedades. Tradicionalmente, la caracterización de estos defectos se ha realizado mediante técnicas que ofrecen una visión global o promediada, sin resolver su distribución espacial.

La capacidad de localizar y cuantificar estos defectos de forma lateral es vital para optimizar los procesos de fabricación y el diseño de los dispositivos. La comprensión de esta distribución puede conducir a estrategias más efectivas para la pasivación de defectos y la mejora de la uniformidad de los dispositivos, lo que a su vez impactará en la producción de pantallas más eficientes y duraderas, así como en el desarrollo de la próxima generación de electrónica de estado sólido.